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首页 全部分类 IPP100N04S303AKSA1 vs AUIRFB8405

IPP100N04S303AKSA1备选型号: AUIRFB8405

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S303AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    30 ns
    N-Channel
    2.8m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 150μA
    无卤素
    9600pF @ 25V
    145nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    17 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    40V
    0.0028Ohm
    400A
    898 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFB8405
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    163W
    14 ns
    N-Channel
    2.5m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    -
    5193pF @ 25V
    161nC @ 10V
    128ns
    ±20V
    77 ns
    120A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    1
    Single
    40V
    3V
    3 V
    9.02mm
    10.67mm
    3.43mm
    无SVHC
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