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首页 全部分类 IPP100N04S303AKSA1 vs FDP8443-F085

IPP100N04S303AKSA1备选型号: FDP8443-F085

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S303AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    30 ns
    N-Channel
    2.8m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 150μA
    无卤素
    9600pF @ 25V
    145nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    17 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    40V
    0.0028Ohm
    400A
    898 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8443-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    188W
    18.4 ns
    N-Channel
    3.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    9310pF @ 25V
    185nC @ 10V
    17.9ns
    ±20V
    13.5 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    1.8g
    yes
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    20A
    40V
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