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首页 全部分类 IPP100N04S4H2AKSA1 vs IRLB8314PBF

IPP100N04S4H2AKSA1备选型号: IRLB8314PBF

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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S4H2AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
    14 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    40V
    Single
    75A
    增强型MOSFET
    18 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 70μA
    无卤素
    7180pF @ 25V
    90nC @ 10V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    20V
    40V
    0.0027Ohm
    280 mJ
    15.65mm
    10mm
    4.4mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8314PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 184A TO220
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    -
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    2.4m Ω @ 68A, 10V
    2.2V @ 100μA
    -
    5050pF @ 15V
    60nC @ 4.5V
    ±20V
    130A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    30V
    1.7V
    无SVHC
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