Infineon Technologies IRLB8314PBF
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IRLB8314PBF
1211-IRLB8314PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 30V 184A TO220
--最小包装量--
IRLB8314PBF详情
Infineon Technologies IRLB8314PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
125W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 68A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5050pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
130A
阈值电压
1.7V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRLB8314PBF拓展信息
Infineon Technologies
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