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首页 全部分类 IPP120N06NGAKSA1 vs IPP80N06S209AKSA2

IPP120N06NGAKSA1备选型号: IPP80N06S209AKSA2

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP120N06NGAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    SINGLE
    260
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 94μA
    2100pF @ 30V
    62nC @ 10V
    60V
    ±20V
    75A
    TO-220AB
    0.012Ohm
    60V
    280 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S209AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    -
    9.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 125μA
    2360pF @ 25V
    80nC @ 10V
    -
    ±20V
    80A
    TO-220AB
    0.0091Ohm
    -
    370 mJ
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    AEC-Q101
    R-PSFM-T3
    无卤素
    55V
    320A
    含铅
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