Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 125μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2360pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.0091Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅