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首页 全部分类 IPP120N10S405AKSA1 vs IPP100N08S2L07AKSA1

IPP120N10S405AKSA1备选型号: IPP100N08S2L07AKSA1

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP120N10S405AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO220-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    5.3m Ω @ 100A, 10V
    3.5V @ 120μA
    无卤素
    6540pF @ 25V
    91nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    35 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    100V
    480A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N08S2L07AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    19 ns
    N-Channel
    6.8m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    5400pF @ 25V
    246nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    22 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    75V
    400A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    逻辑电平兼容
    0.0068Ohm
    810 mJ
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