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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.863063
10
¥24.399112
100
¥23.018036
500
¥21.715129
1000
¥20.485966
Infineon Technologies IPP120N10S405AKSA1
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- 对比
IPP120N10S405AKSA1
1211-IPP120N10S405AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH TO220-3
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¥
总价: ¥
IPP120N10S405AKSA1详情
Infineon Technologies IPP120N10S405AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
190W Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.3m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 120μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6540pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
120A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPP120N10S405AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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