您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPP120P04P404AKSA1 vs IRL7833PBF

IPP120P04P404AKSA1备选型号: IRL7833PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP120P04P404AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    30 ns
    P-Channel
    3.8m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 340μA
    无卤素
    14790pF @ 25V
    205nC @ 10V
    20ns
    40V
    ±20V
    52 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    -40V
    480A
    78 mJ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7833PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 38A, 10V
    2.3V @ 250μA
    -
    4170pF @ 15V
    47nC @ 4.5V
    50ns
    -
    ±20V
    6.9 ns
    150A
    TO-220AB
    20V
    -
    600A
    560 mJ
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3.8MOhm
    30V
    150A
    140W
    SWITCHING
    2.3V
    75A
    30V
    63 ns
    2.3 V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 对比
IRL7833PBF IRL7833PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB 对比
STP105N3LL STP105N3LL STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI 对比