Infineon Technologies IPP120P04P404AKSA1
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IPP120P04P404AKSA1
1211-IPP120P04P404AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220
1最小包装量--
IPP120P04P404AKSA1详情
Infineon Technologies IPP120P04P404AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
136W Tc
Turn Off Delay Time
49 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 340μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14790pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
205nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
120A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
雪崩能量等级(Eas)
78 mJ
高度
15.95mm
长度
10.36mm
宽度
4.57mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPP120P04P404AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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