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首页 全部分类 IPP200N15N3GXKSA1 vs STP40NF12

IPP200N15N3GXKSA1备选型号: STP40NF12

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  • 额定电流
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP200N15N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    4V @ 90μA
    2008
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    150W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 75V
    31nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    150V
    0.02Ohm
    200A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP40NF12
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    40A Tc
    4V @ 250μA
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    -
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    150W
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 20A, 10V
    -
    1880pF @ 25V
    80nC @ 10V
    63ns
    ±20V
    28 ns
    40A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.032Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    120V
    40A
    STP40N
    R-PSFM-T3
    Single
    120V
    无
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