STMicroelectronics STP40NF12
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STP40NF12
2381-STP40NF12
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
--最小包装量--
STP40NF12详情
STMicroelectronics STP40NF12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
84 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
120V
额定电流
40A
基本部件号
STP40N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1880pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
63ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
40A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.032Ohm
漏源击穿电压
120V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP40NF12拓展信息
STMicroelectronics
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