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首页 全部分类 IPP50R190CEXKSA1 vs IPP50R250CPXKSA1

IPP50R190CEXKSA1备选型号: IPP50R250CPXKSA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPP50R190CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    18.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 6.2A, 13V
    3.5V @ 510μA
    无卤素
    1137pF @ 100V
    47.2nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    18.5A
    TO-220AB
    20V
    500V
    0.19Ohm
    550V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R250CPXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    40 Weeks
    通孔
    -
    TO-220
    3
    -
    1
    -
    -
    -
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    114W
    35 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    无卤素
    -
    -
    14ns
    -
    11 ns
    13A
    -
    20V
    500V
    -
    500V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    150°C
    -55°C
    114W
    不合格
    ISOLATED
    500V
    N-CHANNEL
    1.42nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    250mOhm
    250 mΩ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
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