Infineon Technologies IPP50R250CPXKSA1

工厂交货时间

40 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

80 ns

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

114W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

114W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

35 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

500V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

漏源击穿电压

500V

输入电容

1.42nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

250mOhm

最大rds

250 mΩ

高度

15.95mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅