IPP50R190CEXKSA1备选型号: IPP60R190P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    18.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 6.2A, 13V
    3.5V @ 510μA
    无卤素
    1137pF @ 100V
    47.2nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    18.5A
    TO-220AB
    20V
    500V
    0.19Ohm
    550V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    151W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.6A, 10V
    4.5V @ 630μ
    无卤素
    1750pF @ 100V
    11nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    7 ns
    20.2A
    TO-220AB
    20V
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    57A
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