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首页 全部分类 IPP50R280CEXKSA1 vs IPP60R280P6XKSA1

IPP50R280CEXKSA1备选型号: IPP60R280P6XKSA1

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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP50R280CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    CoolMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 4.2A, 13V
    3.5V @ 350μA
    无卤素
    773pF @ 100V
    32.6nC @ 10V
    6.4ns
    ±20V
    7.6 ns
    13A
    TO-220AB
    20V
    500V
    0.28Ohm
    42.9A
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    CoolMOS™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    无卤素
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    -
    13.8A
    -
    20V
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-3
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    104W
    600V
    600V
    950pF
    252mOhm
    280 mΩ
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