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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.33879
10
¥7.866782
100
¥7.421494
500
¥7.001409
1000
¥6.605103
Infineon Technologies IPP60R280P6XKSA1
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- 对比
IPP60R280P6XKSA1
1211-IPP60R280P6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP60R280P6XKSA1详情
Infineon Technologies IPP60R280P6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
36 ns
Power Dissipation (Max)
104W Tc
Number of Elements
1
已出版
2008
系列
CoolMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
104W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 430μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
13.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
600V
输入电容
950pF
漏源电阻
252mOhm
最大rds
280 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP60R280P6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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