我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPP60R040C7XKSA1备选型号: FCP36N60N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72015e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 24.9A, 10V4V @ 1.24mA无卤素4340pF @ 400V107nC @ 10V±20V50ATO-220AB600V0.04Ohm211A249 mJROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-312 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON36A Tc-55°C~150°C TJTubeSupreMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING90m Ω @ 18A, 10V4V @ 250μA-4785pF @ 100V112nC @ 10V±30V36ATO-220AB----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)32.421gEAR9990MOhmSingle312W23 ns22ns4 ns2V30V600V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP36N60N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3 | 对比 |
| IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 57.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
哦! 它是空的。