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首页 全部分类 IPP60R040C7XKSA1 vs IPP60R099P6XKSA1

IPP60R040C7XKSA1备选型号: IPP60R099P6XKSA1

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • Infineon Technologies
    IPP60R040C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.24mA
    无卤素
    4340pF @ 400V
    107nC @ 10V
    ±20V
    50A
    TO-220AB
    600V
    0.04Ohm
    211A
    249 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R099P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    37.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    99m Ω @ 14.5A, 10V
    4.5V @ 1.21mA
    无卤素
    3330pF @ 100V
    70nC @ 10V
    ±20V
    37.9A
    -
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    1
    278W
    20 ns
    10ns
    5 ns
    3.5V
    20V
    600V
    150°C
    20.7mm
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