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IPP60R120C7XKSA1备选型号: STP26NM60N
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube18 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON19A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C71997e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING120m Ω @ 7.8A, 10V4V @ 390μA无卤素1500pF @ 400V34nC @ 10V±20V19ATO-220AB600V0.12Ohm66A78 mJROHS3 Compliant无铅----------------------
MOSFET N-CH 600V 20A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON20A Tc150°C TJTubeMDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING165m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA-1800pF @ 50V60nC @ 10V±30V10ATO-220AB--80A-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)3通孔EAR99165MOhmSTP26N3Single140W13 ns25ns50 ns25V20A600V600V3 V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP20NM60 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
 | FCP22N60N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220 | 对比 |
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