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首页 全部分类 IPP60R190P6XKSA1 vs FCP190N60E

IPP60R190P6XKSA1备选型号: FCP190N60E

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
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  • 质量
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP60R190P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    151W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.6A, 10V
    4.5V @ 630μ
    无卤素
    1750pF @ 100V
    11nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    7 ns
    20.2A
    TO-220AB
    20V
    600V
    57A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP190N60E
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FCP190N60E - MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    20.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    208W
    -
    23 ns
    N-Channel
    -
    190m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 250μA
    -
    3175pF @ 25V
    82nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    15 ns
    20.6A
    -
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    yes
    EAR99
    Single
    600V
    2.5V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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