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IPP60R190P6XKSA1备选型号: IPP60R199CPXKSA1
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON20.2A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008e3活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET151WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.6A, 10V4.5V @ 630μ无卤素1750pF @ 100V11nC @ 10V8ns±20V7 ns20.2ATO-220AB20V600V57AROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N-CH 650V 16A TO220-312 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2007e3不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE--SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET139W-10 nsN-ChannelSWITCHING199m Ω @ 9.9A, 10V3.5V @ 660μA无卤素1520pF @ 100V43nC @ 10V5ns±20V-16ATO-220AB20V600V-ROHS3 Compliant无铅yesEAR99600V16A3650V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCP260N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 | 对比 |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
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