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IPP60R1K4C6XKSA1备选型号: STP6N60M2
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- JESD-609代码
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
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- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
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- 功率耗散
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 辐射硬化
MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-312 Weeks通孔通孔TO-220-333.2A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明未说明Single8 nsN-Channel1.4 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA无卤素200pF @ 100V1.1nC @ 10V±20V3.2A30V600V650V15.95mm10.36mm4.57mm符合RoHS标准无铅---------
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube16 Weeks通孔通孔TO-220-334.5A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)----Single9.5 nsN-Channel1.2 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA-232pF @ 100V8nC @ 10V±25V4.5A25V--15.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1.2OhmSTP6N160W7.4ns600V22.5 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP6N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
 | FCP4N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 | 对比 |
| FDP7N60NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 O, TO-220 | 对比 |
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