Infineon Technologies IPP60R1K4C6XKSA1
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IPP60R1K4C6XKSA1
1211-IPP60R1K4C6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
1最小包装量--
IPP60R1K4C6XKSA1详情
Infineon Technologies IPP60R1K4C6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
28.4W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 1.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 90μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.1nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
650V
高度
15.95mm
长度
10.36mm
宽度
4.57mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IPP60R1K4C6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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