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首页 全部分类 IPP60R280P6XKSA1 vs IPP50R299CPXKSA1

IPP60R280P6XKSA1备选型号: IPP50R299CPXKSA1

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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    PG-TO220-3
    6.000006g
    13.8A Tc
    2008
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    104W
    12 ns
    N-Channel
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    无卤素
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    6ns
    600V
    ±20V
    13.8A
    20V
    600V
    600V
    950pF
    252mOhm
    280 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R299CPXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP50R299CP - MOSFET, N, TO-220
    12 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    -
    12A Tc
    2008
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    104W
    35 ns
    N-Channel
    299m Ω @ 6.6A, 10V
    3.5V @ 440μA
    无卤素
    1190pF @ 100V
    31nC @ 10V
    14ns
    550V
    ±20V
    12A
    20V
    500V
    500V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    SWITCHING
    12 ns
    TO-220AB
    0.299Ohm
    26A
    289 mJ
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