IPP60R380P6XKSA1备选型号: FCP380N60E
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V TO220-312 Weeks通孔通孔TO-220-33PG-TO220-310.6A Tc4.5V @ 320μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C12 nsN-Channel380mOhm @ 3.8A, 10V无卤素877pF @ 100V19nC @ 10V6ns600V±20V7 ns10.6A20V600V877pF342mOhm380 mΩ符合RoHS标准无铅--------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V12 Weeks通孔通孔TO-220-33-10.2A Tc3.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II2012ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)--17 nsN-Channel380m Ω @ 5A, 10V-1770pF @ 25V45nC @ 10V9ns-±20V10 ns10.2A20V----ROHS3 Compliant无铅1.8ge3yesEAR99Tin (Sn)Single106W2.5V600V9.4mm4.83mm10.67mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 | 对比 |
| FCP380N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 | |
![]() | STP18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |




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