IPP65R065C7XKSA1备选型号: STP45N65M5
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 650V TO-220-318 Weeks通孔通孔TO-220-33PG-TO220-333A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72013活跃1 (Unlimited)150°C-55°C17 nsN-Channel65mOhm @ 17.1A, 10V4V @ 850μA无卤素3020pF @ 400V64nC @ 10V14ns650V±20V7 ns33A20V650V3.02nF58mOhm65 mΩROHS3 Compliant无铅-------------------------
- MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS17 Weeks通孔通孔TO-220-33-35A Tc150°C TJTubeMDmesh™ V-活跃1 (Unlimited)--79.5 nsN-Channel78m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA-3375pF @ 100V91nC @ 10V--±25V-35A25V----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICONe33EAR9978MOhmMatte Tin (Sn)超低电阻STP45NSingle增强型MOSFET208WDRAINSWITCHING4VTO-220AB650V140A810 mJ4 V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | 对比 |
![]() | IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 700V 38A TO220-3 | 对比 |
![]() | STP57N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220 | 对比 |




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