注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥46.825147
10
¥44.174666
100
¥41.674214
500
¥39.315296
1000
¥37.089902
Infineon Technologies IPP65R065C7XKSA1
- 收藏
- 对比
IPP65R065C7XKSA1
1211-IPP65R065C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP65R065C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPP65R065C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
33A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
171W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 850μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3020pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
33A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
输入电容
3.02nF
漏源电阻
58mOhm
最大rds
65 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP65R065C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。