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首页 全部分类 IPP65R065C7XKSA1 vs STP57N65M5

IPP65R065C7XKSA1备选型号: STP57N65M5

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  • 终止次数
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  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP65R065C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    17 ns
    N-Channel
    65mOhm @ 17.1A, 10V
    4V @ 850μA
    无卤素
    3020pF @ 400V
    64nC @ 10V
    14ns
    650V
    ±20V
    7 ns
    33A
    20V
    650V
    3.02nF
    58mOhm
    65 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP57N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    42A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    73 ns
    N-Channel
    63m Ω @ 21A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    4200pF @ 100V
    98nC @ 10V
    15ns
    -
    ±25V
    19 ns
    42A
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    3
    EAR99
    63MOhm
    STP57N
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    650V
    960 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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