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首页 全部分类 IPP65R150CFDXKSA1 vs IPP65R125C7XKSA1

IPP65R150CFDXKSA1备选型号: IPP65R125C7XKSA1

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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP65R150CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    22.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    12.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    无卤素
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    5.6 ns
    22.4A
    TO-220AB
    30V
    650V
    72A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R125C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 18A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    14 ns
    N-Channel
    -
    125mOhm @ 8.9A, 10V
    4V @ 440μA
    无卤素
    1670pF @ 400V
    35nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    8 ns
    18A
    -
    20V
    650V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO220-3
    150°C
    -55°C
    650V
    1.67nF
    110mOhm
    125 mΩ
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