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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥34.436753
10
¥32.487503
100
¥30.648587
500
¥28.913762
1000
¥27.277134
Infineon Technologies IPP65R125C7XKSA1
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- 对比
IPP65R125C7XKSA1
1211-IPP65R125C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 18A TO220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP65R125C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPP65R125C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
101W Tc
Turn Off Delay Time
71 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 440μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1670pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
输入电容
1.67nF
漏源电阻
110mOhm
最大rds
125 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP65R125C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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