IPP65R190C7FKSA1备选型号: IPP65R225C7XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    11 ns
    N-Channel
    190mOhm @ 5.7A, 10V
    4V @ 290μA
    1150pF @ 400V
    23nC @ 10V
    650V
    ±20V
    9 ns
    13A
    20V
    650V
    1.15nF
    168mOhm
    190 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    9 ns
    N-Channel
    225m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 240μA
    996pF @ 400V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    10 ns
    11A
    20V
    650V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    无卤素
    6ns
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPP65R280C6XKSA1 IPP65R280C6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 对比
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 对比
IPP60R230P6XKSA1 IPP60R230P6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V TO220-3 对比