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首页 全部分类 IPP80N03S4L04AKSA1 vs IPP80N04S403AKSA1

IPP80N03S4L04AKSA1备选型号: IPP80N04S403AKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPP80N03S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 45μA
    无卤素
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    6ns
    ±16V
    7 ns
    80A
    TO-220AB
    16V
    30V
    95 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S403AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    14 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 53μA
    无卤素
    5260pF @ 25V
    66nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    40V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    16 Weeks
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    R-PSFM-T3
    94W
    0.0037Ohm
    320A
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