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首页 全部分类 IPP80N06S2L06AKSA2 vs IPP100N06S2L05AKSA2

IPP80N06S2L06AKSA2备选型号: IPP100N06S2L05AKSA2

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  • 终止次数
  • 附加功能
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 制造商包装标识符
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2L06AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    6.3m Ω @ 69A, 10V
    2V @ 180μA
    3800pF @ 25V
    150nC @ 10V
    ±20V
    80A
    TO-220AB
    55V
    0.0081Ohm
    320A
    530 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S2L05AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    4.7m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    5660pF @ 25V
    230nC @ 10V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    55V
    0.0059Ohm
    400A
    810 mJ
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    3
    IPP100N06S2L-05
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    300W
    18 ns
    无卤素
    25ns
    24 ns
    20V
    55V
    含铅
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