Infineon Technologies IPP100N06S2L05AKSA2

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

IPP100N06S2L-05

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

98 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.0059Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅