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首页 全部分类 IPP80N06S2LH5AKSA2 vs IPP100N06S205AKSA2

IPP80N06S2LH5AKSA2备选型号: IPP100N06S205AKSA2

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2LH5AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    14 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    80A Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    19 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    190nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    22 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    55V
    0.0065Ohm
    700 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S205AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    SILICON
    100A Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    5110pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    100A
    TO-220AB
    -
    55V
    0.005Ohm
    -
    符合RoHS标准
    -
    6.000006g
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    无卤素
    400A
    含铅
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