Infineon Technologies IPP80N06S2LH5AKSA2
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IPP80N06S2LH5AKSA2
1211-IPP80N06S2LH5AKSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
--最小包装量--
IPP80N06S2LH5AKSA2详情
Infineon Technologies IPP80N06S2LH5AKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
75 ns
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Number of Elements
1
已出版
2006
系列
OptiMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
190nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
漏极-源极导通最大电阻
0.0065Ohm
雪崩能量等级(Eas)
700 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
IPP80N06S2LH5AKSA2拓展信息
Infineon Technologies
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