IPS1011RPBF备选型号: NTHS4166NT1G
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
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- 额定功率
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出电压
- 输出类型
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 界面
- 最大电源电压
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- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 输入类型
- 开关类型
- 箝位电压
- 每个通道的输出电流
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 双电源电压
- Rds On(Typ)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633D-Pak-40°C~150°C TJTube2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT10mOhm150°C-40°C2.5W2.5W18AIPS1011RPBF128VN-Channel6A5.5VOn/Off5.5V4.5V低侧2.5W85A不需要Non-Inverting通用型36V6A50μs36V70 μs6A1.7V1:128V MaxCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature28V10mOhm1.7 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----------------------------
- MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)-----------------1.5W------11ns-11 ns6.6A-------1.1mm3.1mm1.7mm--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)2 WeeksSILICON4.9A Tae3yes8EAR99Tin (Sn)DUALC 弯管未说明未说明8不合格Single增强型MOSFET12 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 4.9A, 10V2.3V @ 250μA900pF @ 15V18nC @ 10V±20V20V4.9A0.022Ohm30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 对比 |
![]() | NTHS4166NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET | 对比 |
![]() | IRLR8743PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 对比 |




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