IPS65R1K5CEAKMA1备选型号: IPS65R1K4C6AKMA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-251-3
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    343.085929mg
    SILICON
    3.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2008
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    R-PSIP-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1A, 10V
    3.5V @ 100μA
    无卤素
    225pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    18.2 ns
    3.1A
    20V
    650V
    8.3A
    26 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    -
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    -
    -
    7.7 ns
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 1A, 10V
    3.5V @ 100μA
    无卤素
    225pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    3.2A
    20V
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    3
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    28W
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
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