Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1
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IPU50R1K4CEBKMA1
1211-IPU50R1K4CEBKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
1最小包装量--
IPU50R1K4CEBKMA1详情
Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.1A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2013
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
25W
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 900mA, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 70μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
178pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
3.1A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
高度
6.22mm
长度
6.73mm
宽度
2.41mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IPU50R1K4CEBKMA1拓展信息
Infineon Technologies
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