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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.50861
10
¥8.026992
100
¥7.572635
500
¥7.143995
1000
¥6.739617
Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1
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- 对比
IPS65R1K4C6AKMA1
1211-IPS65R1K4C6AKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Stub Leads, IPak
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPS65R1K4C6AKMA1详情
Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
28W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 100μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
28W
接通延迟时间
7.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 1A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
225pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
高度
6.22mm
长度
6.73mm
宽度
2.39mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPS65R1K4C6AKMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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