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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.571269
10
¥8.086102
100
¥7.628402
500
¥7.196602
1000
¥6.789248
Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1
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- 对比
IPS65R1K4C6AKMA1
1211-IPS65R1K4C6AKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Stub Leads, IPak
大陆
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Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPS65R1K4C6AKMA1详情
Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
28W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
28W
接通延迟时间
7.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
225pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
高度
6.22mm
长度
6.73mm
宽度
2.39mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPS65R1K4C6AKMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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