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首页 全部分类 IPT007N06NATMA1 vs FDB024N06

IPT007N06NATMA1备选型号: FDB024N06

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  • 场效应管类型
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 质量
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  • 电阻
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPT007N06NATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 300A 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    SILICON
    300A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-F2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    N-Channel
    0.75m Ω @ 150A, 10V
    3.3V @ 280μA
    无卤素
    16000pF @ 30V
    287nC @ 10V
    ±20V
    300A
    20V
    60V
    52A
    0.00075Ohm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB024N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    395W
    DRAIN
    N-Channel
    2.4m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    14885pF @ 25V
    226nC @ 10V
    ±20V
    265A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1.762g
    yes
    2.4MOhm
    Single
    134 ns
    SWITCHING
    324ns
    250 ns
    3.5V
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
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