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IPT007N06NATMA1备选型号: IRF7749L2TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 60V 300A 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFN8SILICON300A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLEFLAT未说明not_compliant未说明R-PSSO-F2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET375WDRAINN-Channel0.75m Ω @ 150A, 10V3.3V @ 280μA无卤素16000pF @ 30V287nC @ 10V±20V300A20V60V52A0.00075OhmROHS3 Compliant含铅----------------
MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L812 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L88SILICON33A Ta 375A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e1不用于新设计1 (Unlimited)9EAR99锡银铜BOTTOM-260-30R-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.8WDRAINN-Channel1.5m Ω @ 120A, 10V4V @ 250μA-12320pF @ 25V300nC @ 10V±20V33A60V-375A-ROHS3 Compliant-IRF7749L2TRPBF129 nsSWITCHING43ns39 ns4V60V260 mJ175°C2.9 V740μm9.144mm7.112mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7749L2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L8 | MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8 | 对比 |
 | FDB024N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
 | IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | 对比 |
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