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首页 全部分类 IPT020N10N3ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1

IPT020N10N3ATMA1备选型号: IPT015N10N5ATMA1

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPT020N10N3ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    SILICON
    PG-HSOF-8
    300A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    FLAT
    260
    not_compliant
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    34 ns
    N-Channel
    2m Ω @ 150A, 10V
    3.5V @ 272μA
    无卤素
    11200pF @ 50V
    156nC @ 10V
    ±20V
    300A
    2V
    20V
    100V
    0.02Ohm
    100V
    175°C
    2.4mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPT015N10N5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    SILICON
    -
    300A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    -
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    36 ns
    N-Channel
    1.5m Ω @ 150A, 10V
    3.8V @ 250μA
    无卤素
    16000pF @ 50V
    211nC @ 10V
    ±20V
    300A
    -
    20V
    100V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    yes
    Single
    SWITCHING
    30ns
    30 ns
    32A
    652 mJ
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