Infineon Technologies AUIRF7769L2TR

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L8

引脚数

15

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

375A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.3W Ta 125W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-XBCC-N9

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 74A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

375A

阈值电压

2.7V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

500A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅