我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPT111N20NFDATMA1备选型号: IRF640NSTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-818 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFNPG-HSOF-896A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)not_compliant1375W13 nsN-Channel11.1m Ω @ 96A, 10V4V @ 267μA无卤素7000pF @ 100V87nC @ 10V±20V96A20V200V200V175°C2.4mmROHS3 Compliant含铅----------------------------
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-18A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-1150W10 nsN-Channel150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA-1160pF @ 25V67nC @ 10V±20V18A20V-200V175°C5.084mmROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free3SILICON2SMD/SMT150mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V鸥翼26018A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING19ns5.5 ns4V72A200V247 mJ251 ns4 V10.668mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 对比 |
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。