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IPT111N20NFDATMA1备选型号: IRFS4127TRLPBF
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- 包装/外壳
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 雪崩能量等级（Eas）
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-818 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFNPG-HSOF-896A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)not_compliant1375W13 nsN-Channel11.1m Ω @ 96A, 10V4V @ 267μA无卤素7000pF @ 100V87nC @ 10V±20V96A20V200V200V175°C2.4mmROHS3 Compliant含铅------------------
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-72A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--375W17 nsN-Channel22m Ω @ 44A, 10V5V @ 250μA-5380pF @ 50V150nC @ 10V±20V72A20V-200V-4.826mmROHS3 Compliant无铅3SILICON222MOhm鸥翼26030R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING18ns22 ns250 mJ10.668mm9.652mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 对比 |
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK | 对比 |
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