IPU50R1K4CEBKMA1备选型号: IPU50R2K0CEBKMA1
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA33.1A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013noObsolete3 (168 Hours)EAR99未说明未说明Single25W6.5 nsN-Channel1.4 Ω @ 900mA, 13V3.5V @ 70μA178pF @ 100V8.2nC @ 10V6ns500V±20V30 ns3.1A30V6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准-
- MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251Surface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA32.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013noObsolete3 (168 Hours)EAR99未说明未说明Single22W6 nsN-Channel2 Ω @ 600mA, 13V3.5V @ 50μA124pF @ 100V6nC @ 10V5ns500V±20V38 ns2.4A20V6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准550V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD3NK50Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
![]() | IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
| FQU1N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK | 对比 |




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