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IPU60R1K0CEBKMA1备选型号: FCU5N60TU
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- 终止次数
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA343.085929mgSILICON4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2015yesDiscontinued3 (168 Hours)3未说明未说明R-PSIP-T31Single增强型MOSFETDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 130μA280pF @ 100V13nC @ 10V8ns600V±20V13 ns4.3A20V1Ohm600V46 mJROHS3 Compliant--------------
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA343.08mgSILICON4.6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™-yes不用于新设计1 (Unlimited)3----Single增强型MOSFETISOLATED12 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA600pF @ 25V16nC @ 10V40ns-±30V22 ns4.6A30V0.95Ohm--ROHS3 CompliantACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)36 Weeks3e3EAR99Tin (Sn)600V4.6A54W5V600V无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3 | 对比 |
| FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
 | STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
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