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IPU60R1K0CEBKMA1备选型号: IPU60R1K5CEBKMA1
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- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA343.085929mgSILICON4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2015yesDiscontinued3 (168 Hours)3未说明未说明R-PSIP-T31Single增强型MOSFETDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 130μA280pF @ 100V13nC @ 10V8ns600V±20V13 ns4.3A20V1Ohm600V46 mJROHS3 Compliant--- MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA343.085929mgSILICON3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2015yesDiscontinued3 (168 Hours)3--R-PSIP-T31Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA200pF @ 100V9.4nC @ 10V7ns600V±20V20 ns3.1A20V-600V26 mJROHS3 Compliant5A8A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3 | 对比 |
 | FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
 | STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
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